Elektrische Fehleranalyse

Die elektrische Fehleranalyse mit Elektronenmikroskopen ist eine wichtige Untersuchungstechnik in verschiedenen Branchen wie der Halbleiterherstellung, der Automobilbranche, der Elektronikindustrie, der Medizintechnik oder den erneuerbaren Energien. Analysten nutzen sie, um mikroskopische Defekte aufzuspüren, die inneren Strukturen von Bauteilen sichtbar zu machen, die Entwurfs- und Herstellungsprozesse zu verbessern und letztlich die Zuverlässigkeit und Leistung elektronischer Geräte zu erhöhen.

Dieses EFA-System ermöglicht eine schnelle und einfache Lokalisierung mit Live-Farbmischung während der Navigation. Es bietet die größte Auswahl an EFA-Fällen mit In-situ-Elektronik für niederohmige Fehler und die besten Bilder für Berichte und Analysen mit einer gezielten Bilderfassung. Das EFA-System umfasst eine einfach zu bedienende, vollautomatische Kalibrierung für Strommessungen.

Das System besteht aus Hardware, Software und wählbaren Optionen.

EFA Techniken

• Electron Beam Induced Current (EBIC)
• Electron Beam Absorbed Current (EBAC)
• Resistive Contrast Imaging (EBAC/RCI)
• Electron Beam Induced Resistance Change (EBIRCh)

Charakterisierung von Verbindungen

• Erkennen Sie die elektrische Integrität von Netzen mit einer lateralen Auflösung im Submikrometerbereich und Überbrückung von EFA zu PFA
• Diagnostizieren Sie Fertigungs- und Langzeitprobleme, einschließlich Verunreinigungen, Defekten bei der Metallstrukturierung, Widerstandsleitern oder Elektromigration
• Isolieren Sie Defekte direkt auf die exakte Schicht und die Position des Chips
• setzen Sie Produktverbesserungen schneller um

Mapping von Übergängen und Defekten

• Korrelieren Sie strukturelle Defekte mit elektrischer Aktivität
• Kartieren Sie aktive Bereiche von Übergängen und elektrischen Feldern
• Validieren Sie Dotierungsprofile und -bereiche

Exakte Lokalisierung

• Lokalisieren Sie Schnitte in Metallleitungen, die durch Risse, Korrosion, Elektromigration oder Fremdpartikel verursacht wurden
• Identifizieren Sie widerstandsbedingte Unterbrechnungsfehler, die durch Grenzflächenkontamination an Via-Verbindungen verursacht werden
• Lokalisieren Sie die Stelle für direkte TEM-Lamellen-FIB-Präparation

Ortung in dielektrischen Layern

• Visualisieren und Lokalisieren Sie Schwachstellen im Gateoxid (GOX) und Kondensatoroxid (COX) vor dem Ausfall
• Orten Sie durch ESD oder EOS verursachte Oxidkurzschlüsse im Submikrometerbereich
• Bewahren Sie die ursprüngliche Defektsignatur mit einer Verlustleistung im unteren nW-Bereich während der Lokalisierung

Biasing und Live-Farbe

• Bilden Sie Übergänge und Felder im Delayering ab
• Orten Sie die elektrische Aktivität von Solarzellen unter Vorspannung
• Vergleichen Sie das abgebildete Verhalten mit dem Device Modeling