Elektrische Analyse im TEM

Korrelation von elektrischer Aktivität mit hochauflösenden Daten

Die elektrische Analyse im TEM spielt eine wichtige Rolle bei der Weiterentwicklung der Materialwissenschaft, der Nanotechnologie, der Bauteilentwicklung und der Fehleranalyse und bietet Einblicke in das Verhalten und die Eigenschaften von Materialien und Bauteilen im Nanomaßstab.

Das System ist vollkommen integriert und softwaregesteuert und mit allen TEMs mit Hilfe einer externen Scan-Schnittstelle kompatibel. Dank der Integration von Hardware und Software kann es alle elektrischen Signale verstärken, erfassen und analysieren.

Die Vorteile:

• Das Akquisitionssystem ist mit allen TEMs mit einer externen Scan-Schnittstelle kompatibel.
• Alle Verstärkungs- und Akquisitionseinstellungen sind softwaregesteuert.
• Jedes Signal wird automatisch quantifiziert und in Stromwerten (µA, nA, pA) angezeigt.

Die wichtigsten Merkmale:

• Schnelle, für die Bildgebung optimierte Verstärkung
• Breiter Verstärkungsbereich für alle Techniken
• Miniaturisierte Halter-Elektronik
• Automatisierte Signalweiterleitung

Das System besteht aus Hardware, Software und wählbaren Optionen.

EBIC im TEM

• Inelastischer Verlust verursacht Elektron-Loch-Paare in der Lamelle
• Interne elektrische Felder trennen Elektronen und Löcher
• Messung des Stroms, um EBIC-STEM-Bilder aufzunehmen

Interne elektrische Felder

• Bilden Sie Übergänge und Kontakte in Bauelementen ab
• Validieren Sie Dotierungsprofile mithilfe des Designs
• gleichen Sie mit dem Bauteilmodell und Parametern ab

Elektrische Schicht-Aktivität

• Lokalisieren Sie Stellen mit erhöhter Rekombinationsaktivität
• Unterscheiden Sie Defekte mit/ohne elektrische Aktivität
• Erweitern Sie mit hochauflösenden Techniken

Parameter-Bestimmung

• Depletionsbreite an Übergängen
• Diffusionslänge von Minoritätsträgern
• Rekombinationsstärke von Dislokationen

FIB-Proben-Screening

• Wenden Sie Standard-FIB-Workflows für In-situ-Vorspannung an
• Nutzen Sie das große Sichtfeld von EA im REM zur Auswahl des Ziels
• Überprüfen Sie Lamellen im REM auf Präparationsschäden