EA Verstärker für REM
Messverstärker für die elektronische Analyse (EA) sind komplexe mehrstufige Verstärkungssysteme mit integrierten Strom- und Spannungsquellen. Alle Versionen verfügen über einen zweistufigen Hochgeschwindigkeits-Transimpedanzverstärker für die Bildgebung und ein zweites Low-Speed-Picoammeter für Strahlstrommessungen. Hochpräzise Spannungs- und Stromquellen sind in das kompakte Gehäuse integriert, wie sie für Biasing, IV-Sweeps und Kompensation benötigt werden. Das Design ist miniaturisiert, um die Kabellängen zu reduzieren und damit die Geschwindigkeit und das Signal-Rausch-Verhältnis zu optimieren.
Die EA-Verstärker sind für Ladungssammeltechniken ausgelegt.
Elektronenstrahlinduzierte Ströme (EBIC)
- Bilden Sie innere elektrische Felder in Halbleitern und Keramiken ab
- Charakterisieren Sie die elektrische Aktivität von Defekten
- Lokalisieren Sie Material- und/oder Verarbeitungsfehlern
Resistenz Contrast Imaging (EBAC/RCI)
- Lokalisieren Sie Unterbrechungen und Kurzschlüssen in Zwischenverbindungen
- Identifizieren Sie Schwachstellen in Oxidschichten
- Bilden Sie Widerstand mit hoher räumlicher Auflösung ab
Electron Beam Induced Current Change (EBIRCh)
- Lokalisieren Sie Defekte in Transistoren mit hoher räumlicher Auflösung
- punktgenaue Leckagen/Schwächen in Oxyden
- ähnlich mit Optical Beam Induced Resistance Change (OBIRCh)
EA Amplifier
- Ex-situ-Vorverstärker für Übergänge und Schottky-Barrieren
- vollständig kalibrierte Elektronik für quantitative Techniken
Lock-in EA amplifier
- Integrierter Taktgenerator für Beam Blanker
- Ex-situ-Vorverstärker für Übergänge und Schottky-Barrieren
- analoge Lock-in-Verstärkung mit De-Modulation
Control
- USB2-Hardware-Schnittstelle
- Gerätetreiber für Microsoft Windows
- unabhängige Steuerbibliothek
- integriertes DISS-Bedienfeld
Inputs
- HIGH-Eingang für Sample-Signal
- LOW-Eingang für Sample-Ground
- DC-Eingangsleistung (Rückwand)
- GND-Eingang (Gehäuse)
Outputs
- Verstärkter Ausgang für Bildgebung (Rückseite)
- LOW-Ausgang für Bias-Spannung
- BC-Ausgang für externe Strahlstrommessung
- EBAC-Ausgang für In-situ-Elektronik
Ex-situ Preamplifier
- 20.000 Ohm minimaler Probenwiderstand
- 10^3 ... 10^10 V/A konfigurierbare Verstärkung
- 8 µs minimale gepixelte Verweilzeit, abhängig von der Probenimpedanz
- 12-Bit-ADC für Live-Signalprüfung
In-situ Preamplifier (optional)
- Empfohlener Mindestabtastwiderstand 1.000 Ohm
- 10ˆ7 V/A feste transimpedanzierte Verstärkung
- 16 µs minimale gepixelte Verweilzeit, abhängig von der Probenimpedanz
Second-stage amplifier
- -1 ... 1 µA, 16-bit input offset (brightness)
- 0.1 ... 100x, 16-bit gain (contrast)
- 0.5 MHz at 10^9 V/A bandwidth
- 8-levels low-pass filter
- manual signal inversion
Integrated sources
- -10 ... 10 V, 16-bit voltage bias
- -10 ... 10 µA, 16-bit current compensation
- 100 pA internal source for calibration
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EA Verstärker
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Lock-in EA amplifier
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In-Situ Vorverstärker
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In-Situ Vorverstärker Frontdetail
