EA Verstärker für REM

EA Amplifier - kalibierte Hochgeschwindigkeitselektronik

Der EA Amplifier von point electronic GmbH ist ein komplexer mehrstufiger Verstärker mit integrierten Strom- und Spannungsquellen für die Elektrische Analyse.

Er verfügt über einen Hochgeschwindigkeits-Transimpedanz-Vorverstärker für die Bildgebung, einen Bandbreitenfilter und einen flexiblen Zweitstufen-Verstärker für die Bildgebung.

In das kompakte Gehäuse sind hochpräzise Spannungs- und Stromquellen integriert, je nach Bedarf für Biasing, IV-Sweeps und Kompensation.

Das Gehäuse ist miniaturisiert, um die Kabellängen zu reduzieren, die Geschwindigkeit zu erhöhen und das Signal-Rausch-Verhältnis zu optimieren.

• vollständig kalibrierte Elektronik für quantitative Techniken
• Ex-situ-Vorverstärker für Übergänge und Schottky-Barrieren
• integrierte Lock-in-Verstärkung mit scan-mode unterstütztem Beam Blanking
• integrierte Vorspannung und Stromkompensation

Der EA Verstärker ist Teil des EA for SEM Systems, und wurde für eine Vielzahl von elektrischen Analysetechniken entwickelt.

Features (Standard):

• Schneller und rauscharmer Ex-situ-Vorverstärker mit einstellbarer Verstärkung
• Automatisches Routing, zur Masse, zur Vorspannung oder zum Strahlstrommesser
• Tiefpassfilter zur Anpassung der Verstärkung an die Abbildungsgeschwindigkeit
• Zweitstufen-Verstärke für feine Bildeinstellungen
• Spannungsquelle für die Gerätevorspannung
• Stromquelle zur Kompensation von Vorwärts- oder Rückwärtssignalen
• Auto-Zero-Funktion zur Kalibrierung

Features (optional):

• In-situ-Vorverstärker für niederohmige Proben (mit dem Premium EA-Probenhalter)
• Automatische Strom-Spannungs-Sweeps zur Gerätecharakterisierung

Techniken zur Elektrischen Analyse:

Elektronenstrahl­induzierte Ströme (EBIC)

• Bilden Sie innere elektrische Felder in Halbleitern und Keramiken ab
• Charakterisieren Sie die elektrische Aktivität von Defekten
• Lokalisieren Sie Material- und/oder Verarbeitungsfehlern

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Resistenz Contrast Imaging (EBAC/RCI)

• Lokalisieren Sie Unterbrechungen und Kurzschlüssen in Zwischenverbindungen
• Identifizieren Sie Schwachstellen in Oxidschichten
• Bilden Sie Widerstand mit hoher räumlicher Auflösung ab

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Electron Beam Induced Current Change (EBIRCh)

• Lokalisieren Sie Defekte in Transistoren mit hoher räumlicher Auflösung
• punktgenaue Leckagen/Schwächen in Oxyden
• ähnlich mit Optical Beam Induced Resistance Change (OBIRCh)

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