IMC21 2026

31.08.2026 - 04.09.2026

Über die IMC21:

Die IMC21 bietet eine globale Plattform für den Austausch herausragender Forschung und die Förderung neuer Kooperationen in der Mikroskopie. Inspiriert von Liverpools vielfältiger Kultur stehen Kollaboration, Diversität und Innovation im Mittelpunkt des Kongresses. Mit dem Early Scholars Programme werden gezielt junge Wissenschaftlerinnen unterstützt und die nächste Generation von Mikroskopikerinnen gefördert.

point electronic's Themen vor Ort:

Ihr Kontakt vor Ort:

Christoph Sichting

Grigore Moldovan

Mathias Mosig

Verpassen Sie nicht unsere Präsentationen.

New Potentials in Quantitative STEM with Open Scan Control and Pulse Counting

Mittwoch, 2. September 2026
16:45 (Europe/London)
Raum 3B

In diesem Talk zeigt unser Partner Daesung Park von der Physikalisch Technischen Bundesanstalt (PTB), wie die Kombination eines offenen TEM-Scan-Controllers (REVOLON) mit Single-Elektronen-Pulsezählung (PULSE) eine schnellere, rauscharme und vollständig kalibrierte quantitative HAADF-STEM-Bildgebung ermöglicht. Wir zeigen, dass Scanpfade (wie Serpentinen-, Spiral- und Hilbert-Muster) sowie die Nachbearbeitung der Hysterese der Scan-Spule die durch Flyback und Verzerrung bedingten Grenzen des herkömmlichen Raster-Scannens überwinden und so eine robuste Nanometrologie bei atomarer Auflösung ermöglichen.

Unser Kontakt: info@pointelectronic.de

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Fixing your field of view: Predictive drift compensation for in-situ STEM and distortion-free imaging

Mittwoch, 2. September 2026
17:15 (Europe/London)
Raum 3A

In diesem Talk wird eine neue Open-Source-Methode zur prädiktiven Driftkompensation in der STEM vorgestellt, die darauf ausgelegt ist, Probenbewegungen während der Bildaufnahme zu korrigieren, bevor diese die Bildqualität beeinträchtigen. Das Team des Trinity College Dublin und der University of Warwick zeigt, wie durch eine Anpassung während des Live-Scans das Sichtfeld erhalten, Unschärfe und Scherung reduziert sowie sowohl die starre als auch die pixelweise Driftkorrektur unter anspruchsvollen Bildgebungsbedingungen verbessert werden können. Für ihre Forschung nutzten sie unser point electronic REVOLON.

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Practical Aspects of Surface Roughness Measurements with Topographic SEM

Dienstag, 1. September 2026
17:30 (Europe/London)
Poster Session 1

In unserem Poster stellen wir das Rasterelektronenmikroskop (REM) als eine effektive Methode zur Messung der Oberflächenrauheit vor, mit der Proben im Mikro- bis Nanometerbereich mit einer höheren lateralen Auflösung charakterisiert werden können als mit herkömmlichen optischen Verfahren.

Wir veranschaulichen dies durch einen Vergleich der mit dem REM gemessenen Rauheitswerte mit einem handelsüblichen Silizium-Rauheitsstandard, wobei wir unser point electronic BSE-Topographiesystem und die MountainsMap-Software für eine ISO 25178-konforme Analyse einsetzen.

Dr. Grigore Moldovan
CTO

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Video frame rate STEM with beam position correction via scan shaping

Mittwoch, 2. September 2026
17:30 (Europe/London)
Poster-Session 2

Dieses Poster veranschaulicht, wie durch „Scan Shaping“ eine Hochgeschwindigkeits-STEM-Bildgebung jenseits der herkömmlichen Coilbeschränkungen ermöglicht wird, wobei 41 fps bei einer Auflösung von 512×512 und einer Pixelverweildauer von 60 ns erreicht werden. Das Team des Trinity College Dublin hat eine Methode des „Scan Shaping“ auf Basis eines Serpentinen-Scans implementiert, um eine Bildgebung mit hoher zeitlicher und räumlicher Auflösung zu erzielen. Das Poster behandelt zudem neue begrenzende Faktoren für die STEM-Scan-Geschwindigkeiten sowie Ansätze zur weiteren Steigerung der Bildraten.

Unser Kontakt: info@pointelectronic.de

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Empirical formula for non-Lambertian electron backscattering behaviour deduced from Monte Carlo simulations

Freitag, 4. September 2026
17:30 (Europe/London)
Poster Session 4

Dieses Poster der Physikalisch-Technischen Bundesanstalt (PTB) zeigt, dass die Elektronenrückstreuung nicht immer dem Lambert-Gesetz folgt und sich mit einer aus Monte-Carlo-Simulationen abgeleiteten empirischen Formel genauer beschreiben lässt. Es verdeutlicht, wie Material, Elektronenenergie und Probenneigung das Rückstreuungssignal beeinflussen.

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